Seçilmiş elmi əsərləri

  1. Аскеров Ш.Г., Гасанов М.Г,, Агаев М.Н., Оруджов В.А., Гусейнов Н.А..  Зависимость эффек­тив­­нос­ти кремниевых солнечных элементов от высоты барьера P-N перехода. Azərbaycan Milli Еlmlər Akademiyası, “Energetikanın problemləri”. Bakı, 2004. №1. s.71-74
  2. Аскеров Ш.Г., Гусейнов Н.А., Асланов Ш., Агаев М.Н.. Гасанов М.Г. Определение основ­ных параметров кремниевых фотопреобразователей Bakı Universitetinin xəbərləri №2, 2005, s.151-154
  3. Quseynov N.A., Askerov Sh.Q., Aslanov Sh.S.. Agaev.M.N. Qasanov M.N., Technology of manufacturing the reliable silicon photo converters with long operation time Semiconductor phusiks Quantum Electronics Optoelecktroniks, Almaniya, 2005,V.8, № 3, pp.85-87.
  4. Гусейнов Н.А., Аскеров Ш.Г., Агаев М.Н.. Гасанов М.Г. Влияние геометрии контактной сет­ки на фотоэнергетические параметры кремниевых солнечных элементов. Bakı Univer­sitetinin xəbərləri № 4, 2006,səh.156-160
  5. Əfəndiyeva İ.M.,  Əsgərov Ş.Q.,  Abdullayeva L.K. ,  Ağayev M.N. , Həsənov M.H. Al0,8Ni0,2/nSi  diodların ayrılma sərhəddinin elektron xassələri Fizika, 2007, c.XIII,  №3 s.62-65.
  6. Ağayev M.N., Səfərov V.H., Həsənov M.N. , Abdullayeva L.K., Al80Ni20∕n–Si kontaktlarında istilik deqradasiyası, Bakı Universitetinin  Xəbərləri, 2014, №2,  s.153-157
  7. Afandiyeva, I.M. Altındal Ş.,  Abdullayeva L.K. Guliyeva T.Z. Gojayeva Sh.M. Bagirova S.E. Hasanov M.H. The frequency and voltage dependent  and  characteristics  of  Al–TiW–PtSi/n–Si  structures at room temperature Journal of Qafqaz University, Number 2, Volume 3, 2015, pp.105-111.
  8. Аскеров Ш.Г., Гасанов М.Г., Абдуллаева Л.К.. Причина расхождения экспериментальных значений высоты барьера контакта металл- полупроводник, ФТП, № 5, т.51, в.5, с.627-629, 2017
  9. Askerov Sh.Q., Abdullayeva L.K., Hasanov.M.H. Origin of discrepancies in the experimental values of the barrier height at metal–semiconductor junctions, Semiconductors , Vol. 51, No. 5, pp. 620–622. 2017
  10. Аскеров Ш.Г., Эфендиева И.М., Гасанов М.Г. Агамалиева Л.Ф.. Влияние термоотжига на электрофизических свойств Диодов  Шоттки, Azərbaycan Texniki Universiteti, Elmi əsərlər, №1, s.51-54, 2018
  11. Askerov, S. G., Abdullayeva, L. K.,  Hasanov, M. H. The influence of the metal microstructure on the breakdown mechanism of Schottky diodes. J Mater Phys Chem, 2018, 1(3), 1.
  12. Askerov, S. G., Abdullayeva, L. K.,  Hasanov, M. G. Study of electrophysical properties of metal–semiconductor contact by the theory of complex systems. Journal of Semiconductors, 2020, 41(10), 102101.