AZƏRBAYCAN RESPUBLİKASININ ELM VƏ TƏHSİL NAZİRLİYİBakı Dövlət Universiteti
Bakı Dövlət Universiteti Azərbaycan xalqının,
Azərbaycan Respublikasının milli sərvətidir,
milli iftixarıdır. Heydər Əliyev
1919
Seçilmiş elmi əsərləri
Аскеров Ш.Г., Гасанов М.Г,, Агаев М.Н., Оруджов В.А., Гусейнов Н.А.. Зависимость эффективности кремниевых солнечных элементов от высоты барьера P-N перехода. Azərbaycan Milli Еlmlər Akademiyası, “Energetikanın problemləri”. Bakı, 2004. №1. s.71-74
Аскеров Ш.Г., Гусейнов Н.А., Асланов Ш., Агаев М.Н.. Гасанов М.Г. Определение основных параметров кремниевых фотопреобразователей Bakı Universitetinin xəbərləri №2, 2005, s.151-154
Quseynov N.A., Askerov Sh.Q., Aslanov Sh.S.. Agaev.M.N. Qasanov M.N., Technology of manufacturing the reliable silicon photo converters with long operation time Semiconductor phusiks Quantum Electronics Optoelecktroniks, Almaniya, 2005,V.8, № 3, pp.85-87.
Гусейнов Н.А., Аскеров Ш.Г., Агаев М.Н.. Гасанов М.Г. Влияние геометрии контактной сетки на фотоэнергетические параметры кремниевых солнечных элементов. Bakı Universitetinin xəbərləri № 4, 2006,səh.156-160
Ağayev M.N., Səfərov V.H., Həsənov M.N. , Abdullayeva L.K., Al80Ni20∕n–Si kontaktlarında istilik deqradasiyası, Bakı Universitetinin Xəbərləri, 2014, №2, s.153-157
Afandiyeva, I.M. Altındal Ş., Abdullayeva L.K. Guliyeva T.Z. Gojayeva Sh.M. Bagirova S.E. Hasanov M.H. The frequency and voltage dependent and characteristics of Al–TiW–PtSi/n–Si structures at room temperature Journal of Qafqaz University, Number 2, Volume 3, 2015, pp.105-111.
Askerov Sh.Q., Abdullayeva L.K., Hasanov.M.H. Origin of discrepancies in the experimental values of the barrier height at metal–semiconductor junctions, Semiconductors , Vol. 51, No. 5, pp. 620–622. 2017
Аскеров Ш.Г., Эфендиева И.М., Гасанов М.Г. Агамалиева Л.Ф.. Влияние термоотжига на электрофизических свойств Диодов Шоттки, Azərbaycan Texniki Universiteti, Elmi əsərlər, №1, s.51-54, 2018
Askerov, S. G., Abdullayeva, L. K., Hasanov, M. H. The influence of the metal microstructure on the breakdown mechanism of Schottky diodes. J Mater Phys Chem, 2018, 1(3), 1.
Askerov, S. G., Abdullayeva, L. K., Hasanov, M. G. Study of electrophysical properties of metal–semiconductor contact by the theory of complex systems. Journal of Semiconductors, 2020, 41(10), 102101.