İstiqamət: Fizika
Problem: Mikroelektronika üçün perspektivli olan material və strukturların alınması və onların fiziki xassələrinin tədqiqi
Mövzu: Günəş enerjisinin çeviriciləri üçün perspektiv materiallar və strukturların alınması və tədqiqi
İş 1. Lyuminessensiya qabiliyyətli nanoməsaməli Si təbəqələrinin oksidləşdiricinin çatışmamazlığı rejimində kimyəvi aşılama metodu ilə alınma texnologiyasının təkmilləşdirilməsi və onların optik və elektrik xassələrinin tədqiqi.
Mövzunun rəhbəri: f.r.e.d., dosent, şöbə müdiri Fərhad Rüstəmov
İcraçılar: f.r.e.d., dosent, şöbə müdiri Fərhad Rüstəmov, f.r.e.n., a.e.i. Vidadi Baqiyev, f.r.e.n., dos., b.e.i. Mübariz Məmmədov, mühəndis Nizami Qocayev, mühəndis Həcər Əsgərova, mühəndis Samirə Bağırova, laborant Natiq Muxtarov
Məqsəd: Məsaməli silisiumun Si monokristallik lövhələrində sırf kimyəvi aşılama metodu ilə alınması, fotolyuminessensiya spektrinə KOH və NaOH -ın su və spirt məhlulunda əlavə aşılamasının təsirinin tədqiqi və oksid təbəqəsinin rolunun araşdırılması.
Nəticə:
Sırf kimyəvi aşılama üsulu ilə alınmış nanoməsaməli silisium təbəqələrinin lyuminessensiya spektrinə müxtəlif konsentrasiyalı NaOH və KOH qələvi məhlullarının təsiri tədqiq edilmişdir. Müəyyən edilmişdir ki, məhlulların təsiri nəticəsində lyuminissensiya spektrinin maksimumu yüksək enerjilər oblastına sürüşməsinə səbəb olur. Alınmış təcrübi nəticələr oksid təbəqəsinin aşılanması nəticəsində qadağan olunmuş zonadakı şüalanma rekombinasiya mərkəzlərinin aradan çıxması ilə izah edilmişdir.Havadakı sonrakı oksidləşmə isə yenidən spektrin qırmızı oblastına sürüşməsinə gətirir. Bu zaman intensivliyin azalması müşahidə olunur ki, bu da təbəqənin aşılanıb nazilməsi ilə izah edilir. Akustooptik cihazlarda istifadə olunan PbMoO4 monokristalının geniş enerji intervalında spektroskopik ellipsometriya, infraqırmızı udulma və Raman spektrləri ölçmələri aparılmışdır. Ellipsometriya məlumatlarının təhlilindən mürəkkəb dielektrik funksiyanın, sındırma əmsalı, udma əmsalı və dissipasiya funksiyasının spektral dəyişmələri alınmışdır. Differensial spektroskopik üsulla aparılan təhlil göstərir ki, temperatur otaq temperaturundan 10 K-ə qədər azaldıqda qadağan olunmuş zonanın eni 3,07eV-dan 3,24 eV-ə qədər artır. Qadağan olunmuş zonanın temperaturdan asılı dəyişmə əmsalı γ = -1,4 × 10 -3 eV/K və Debay temperaturu ΘD = 455 K təyin edilmişdir. Optoelektronikada istifadə edilən Bi12TiO20 kristalının sərtliyi və Yung modulu Oliver-Farr metodu ilə təyin edilmişdir. Kristalının sərtliyi 4,4 GPa olmuşdur. Müəyyən edilmişdir ki, Yung modulu yükün artması ilə azalır və yüksək yüklərdə yükdən asılı olmayan Young modulu 93 GPa-dır. Yükdən asılı elastik və plastik deformasiya komponentləri hesablanmışdır.
Təcrübi əhəmiyyəti: müxtəlif tip fotovoltaik və termoelektrik çeviricilərin həssas elementlərinin yaradılması
________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
İş 2. Məsaməli şüşə və silisium üzərində A2B6 ikiqat və A2B2C6 üçqat birləşmələrinin nanoquruluşlu təbəqələrinin alınması, elektrofiziki və optik xassələrinin tədqiqi.
Mövzunun rəhbəri: f.r.e.d., dosent, şöbə müdiri Fərhad Rüstəmov
İcraçılar: f.r.e.d., prof., a.e.i. Maarif Cəfərov, f.r.e.n., dos., b.e.i. Elşən Nəsirov, f.r.e.d., prof., Aydın Kazımzadə, f.r.e.d., prof., Yusif Nurullayev, f.r.e.n., dos., b.e.i. Rafik Bağırov, k.e.i. Sevda Məmmədova, laborant Rəna Həsənova
Məqsəd:A2B6 ikiqat və A2B2C6 üçqat birləşmələrinin nanoquruluşlu təbəqələrinin kimyəvi çökdürmə üsulu ilə alınması, və alınmış nümunələrin elektrik və optik xassələrinin tədqiqi
Nəticə:
ZnS nanohissəcikləri otaq temperaturunda məhluldan kimyəvi çökdürmə yolu ilə məsaməli silisium üzərində əldə edilmişdir. Alınmış hissəciklərin strukturu atom qüvvə və skanedici elektron mikroskopiya ilə araşdırılmışdır. Hazırlanmış ZnS-PS strukturunun optik xassələri tədqiq edilmişdir və göstərilmişdir ki, silisium məsamələrində sintez olunmuş nanoölçülü ZnS hissəcikləri hətta otaq temperaturunda spektrin görünən oblastında parlaq və sabit şüalanma verən fotolüminesent xüsusiyyətlərə malikdirlər.
p-CdTe/n-Cd0.5Zn0.5S anizotip heterokeçidinin fiziki xassələrinin tədqiq edilmiş, düzünə və əks istiqamətdə cərəyankeçmə mexanizmi, o cümlədən I-V xarakteristikası təhlil edilmişdir. Müəyyən olunmuşdur ki, kontakt potensiallar fərqinin volt-farad xarakteristikasından alınan qiyməti volt-amper xarakteristikasından alınan qiymətlərdən kiçikdir və praktiki olaraq tezlikdən asılı deyil. Bu xüsusiyyət Donelli və Milns tərəfindən təklif olunmuş və heterokeçidin metal sərhədində lokallaşmış elektrik yüklərinin təsirini nəzərə alan model əsasında izah olunur. Müəyyən edilmişdir ki, tədqiq olunan p-CdTe/n-Cd0.5Zn0.5S strukturunun elektrik xassələri, ikiqat ionlaşmış kadmium vakansiyasının və donor tipli aşqarların daxil olduğu (V−2 Cd - D+)− mürəkkəb defektlərlə təyin olunur.
_________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
İş 3. Seolit tozu əsaslı qarışıqların elektrik xassələrinin tədqiqi.
Mövzunun rəhbəri: f.r.e.d., dosent, şöbə müdiri Fərhad Rüstəmov
İcraçılar:f.r.e.n., dos., a.e.i. Nelli Lebedyeva, f.r.e.n., e.i. Vladimir Orbux, f.r.e.n., dos., b.e.i. Çingiz Axundov, f.r.e.d., a.e.i. Nadir Abdullayev, mühəndis Yevgeniya Bobrova
Məqsəd: Seolit tozunun CdS yarımkeçiricisi ilə qarışığının elektrik xassələrinin tədqiqi və elektrik xassələrinin araşdırılması
Nəticə:
Təbii seolit, onun gümüşlə modifikasiyası, təbii seolitin qrafit və CdS yarımkeçirici tozları ilə qarışığının elektrik xassələri tədqiq edilmişdir. Tətbiq edilmiş yeni eksperimental metodla seolit məsamələrində K, Na, Mg ionlarının, neytral Ag0 -la əvəz olunması öyrənilmişdir. İon materiallarında dielektrik aralığın yaranma mexanizmi və onun elektrik ölçmələrinə təsiri nəzəri olaraq araşdırılmışdır. Seoilit-qrafit tozları qarışıqlarında perkolyasioya prosesləri ilə əlaqədar olan metal-dielektrik keçidi aşkarlanmışdır. Qeyri-stabillik zonası qrafit konsentrasiyası 23-30% olduqda müşahidə edilmişdir. Belə ki, test siqnalının 100 Hz tezliklərində keçiricilik 104 dəfə artmışdır. Keçiriciliyin qarışıqdaki qrafit konsentrasiyasından aslıılığında fraktal xüsusiyyətlər aşkarlanır. Beləliklə müşahidə olunan hadisə induksiya edilmiş dielektrik-keçirici perkolyasiya keçidi kimi interpretasiya edilmişdir. CdS yarımkeçirici-dielektrik qarışığı üçün sabit gərginlik qoşulduqdan sonra cərəyanın kinetikası, dəyişən gərginlikdə isə tutum və müqavimət ölçülmüşdür. Seolitin CdS ilə qarışığının dielektrik nüfuzluğu (ε =17,2).müəyyən edilmişdir
_________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
İş 4. Si və GaAs əsaslı Şottki baryerli çoxfunksiyalı cihazların elektrofiziki xassələrinin tədqiqi.
Mövzunun rəhbəri: f.r.e.d., dosent, şöbə müdiri Fərhad Rüstəmov
İcraçılar: f.ü.e.d., dos, a.e.i. İzzət Əfəndiyeva, f.ü.f.d., b.e.i. Ləman Abdullayeva, r.ü.f.d., e.i. Lətifə Ağamalıyeva, e.i. Məhəmməd Həsənov, f.r.e.n., b.e.i. Mustafa Agayev
Məqsəd:Kontakt strukturların parametrlərinin və xarakteristakalarının tədqiqi və alınmış nəticələrin mürəkkəb sistemlər nəzəriyyəsi əsasında izahı
Nəticə:
Si/n-Si(111), PtSi/n-Si, AlNi/n-Si və Re/GaAs Şottki diodlarının parametrləri müxtəlif xarici təsirlərin dəyişməsi şəraitində tədqiq edilmişdir. Bu məqsədlə AC- keçiricilik, potensial baryerin hündürlüyü, ardıcıl müqavimət, səth halları, gərginliyin paylanması və dielektrik xassələri test siqnalının tezliyindən və amplitudundan, temperaturdan asılılığı öyrənilmişdir. Hesablamalarda real metal-yarımkeçirici kontakt modeli nəzərə alınmışdır. Gümüşlə modifikasiya edilmiş seolit elektrik keçiriciliyi tədqiq edilmiş, gümüş ionlarının rolu analiz edilmişdir. əsasında, amorf metallik xəlitəsini omik kontakt kimi tətbiq etməklə hazırlanmış Günəş elementləri tədqiq edilmişdir. Əldə edilən nəticələr müzakirə və təhlil edilmişdir.