16.02.2023-cü il tarixində Fizika Problemləri ETİ-nin növbəti seminarı keçirilmişdir. Seminarda Kondensə olunmuş hal fizikası şöbəsinin aparıcı elmi işçisi, f.e.d. Əfəndiyeva İzzət Məhəmməd qızı “Pd2Si/n-Si (111) Şottki diodunun əsas parametrlərinin temperaturdan asılılığı” mövzusunda məruzə məruzə etmişdir.
Pd2Si/n-Si(111) Şottki baryerli diodların tutum və keçiriciliyinin gərginlikdən asılılıq xarakteristikaları geniş temperatur intervalında (79-360 K) tədqiq edilmiş və temperaturun və səth hallarının diod parametrlərinə təsiri araşdırılmışdır. Potensial baryerin hündürlüyü, donor atomlarının aşqarlanma dərəcəsi, Fermi səviyyəsi, ardıcıl müqavimət, gərginliyin paylanması və səth hallarının rolu analiz edilmişdir. Temperaturdan asılı olaraq potensial baryerin hündürlüyünün dəyişməsi (0.46 - 0.69 eV) səth hallarının yenidən yüklənməsi ilə izah edilmişdır.
Daha sonra İzzət Əfəndiyeva verilən sualları cavablandırmış, alınan nəticələrin xüsusiyyətlərini izah etmişdir.
